| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
|
2 008
|
12.49
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
ЭКСПОРТ
|
|
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
СЗТП
|
8
|
37.48
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
1
|
|
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
66
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
|
80
|
214.72
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К511ЛИ1 |
|
Два логических элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом.
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
|
54 866
|
2.79
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
СЗТП
|
224
|
15.50
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
РОССИЯ
|
10
|
2.90
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
13
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
AVX
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
2 661
|
9.30
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
16
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
17.96
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
1 600
|
21.70
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
20
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
340
|
65.10
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
12 640
|
40.92
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
3 760
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
47
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8658
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
88
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8879
|
|
|
|