| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
К157УД2 |
|
Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...
|
|
401
|
388.50
|
|
|
|
|
К157УД2 |
|
Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...
|
ПОЛЯРОН
|
388
|
388.00
|
|
|
|
|
К157УД2 |
|
Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
|
К157УД2 |
|
Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...
|
69
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
8 352
|
11.04
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
15 200
|
13.58
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
17.96
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
2 800
|
21.70
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
20
|
80
|
1.14
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
1 784
|
37.48
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
10 830
|
31.80
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
4
|
169.60
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
|
|
801
|
37.48
|
|
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
|
ТОНДИ
|
|
|
|
|
|
|
КЭМ-1 ГР.А |
|
Магнитоуправляемый герметизированный контакт (геркон) КЭМ-1 гр.А , для коммутации ...
|
|
356
|
125.43
|
|
|
|
|
КЭМ-1 ГР.А |
|
Магнитоуправляемый герметизированный контакт (геркон) КЭМ-1 гр.А , для коммутации ...
|
КОМ
|
|
|
|
|
|
|
КЭМ-1 ГР.А |
|
Магнитоуправляемый герметизированный контакт (геркон) КЭМ-1 гр.А , для коммутации ...
|
РЯЗАНЬ
|
1 003
|
180.20
|
|
|
|
|
КЭМ-1 ГР.А |
|
Магнитоуправляемый герметизированный контакт (геркон) КЭМ-1 гр.А , для коммутации ...
|
РЗМКП
|
|
|
|
Версия для печати
