| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.70
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
77 984
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
325
|
2.09
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
1 517
|
2.17
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 549
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.52
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.27
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
66 995
|
1.27
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
263 152
|
1.23
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
14 333
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
64
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
10000
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
1500
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
|
|
4.20
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
626
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
18 448
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
JSCJ
|
189 816
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
TOP DIODE
|
81 600
|
1.06
|
|
|
|
К555ИР22 |
|
Восьмиразрядный буферный регистр с потенциальным управлением. Время задержки 10 нс, ...
|
|
58
|
119.90
|
|
|
|
К555ИР22 |
|
Восьмиразрядный буферный регистр с потенциальным управлением. Время задержки 10 нс, ...
|
МЕЗОН
|
448
|
79.56
|
|
|
|
К555ИР22 |
|
Восьмиразрядный буферный регистр с потенциальным управлением. Время задержки 10 нс, ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К555ИР22 |
|
Восьмиразрядный буферный регистр с потенциальным управлением. Время задержки 10 нс, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
|
940
|
37.48
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МЕЗОН
|
240
|
101.25
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
|
24
|
56.70
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
БИЛЛУР
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
ПАВЛОВ ПОСАД
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
К561ИЕ10 |
|
Два синхронных двоичных счетчика-делителя (без дешифраторов). Каждый счетчик основан ...
|
МИКРОН
|
|
|
|