Версия для печати
Технические характеристики STPS30H100CT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	800mV @ 15A
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 100V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	13 500	3.53
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 308	4.01
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	1 932	4.24
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...			6.68
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	47 764	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.94  >100 шт.   0.97
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	1 376	1.52  >100 шт.   0.76
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	2 000	1.98  >100 шт.   0.99
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	5725	1	1.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	RUME	23 200	1.52  >100 шт.   0.76
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SLKOR	1 520	1.54  >100 шт.   0.77
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	17 475	3.60
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	2 294	4.15
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		17 368	1.07
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	232	1.42  >100 шт.   0.71
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	4 084	1.08
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE	1 363	1.76  >100 шт.   0.88
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC	2 056	1.31
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	RUME	480	1.58  >100 шт.   0.79
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	160.06
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	267.12
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	4-7 НЕДЕЛЬ	735
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А			107.60
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	660	20.84
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	5	1	39.86
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	FAI/QTC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	26	92.13
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	VISHAY
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ONS
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	КИТАЙ
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MIC	5 836	22.39
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YJ	7 380	19.34
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MCC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	TSC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)		3 512	21.41
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY ME
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	HOTTECH	233	54.23
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	KLS	23 504	29.89
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	PANJIT
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	SUNTAN
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE	33 680	24.36
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	1
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	KEEN SIDE	304	15.62
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MERRYELC	1 243	15.48
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	TRR	960	16.17

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"