IRFP9240PBF


Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)

Купить IRFP9240PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFP9240PBF
Версия для печати

Технические характеристики IRFP9240PBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs500 mOhm @ 7.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C12A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
Power - Max150W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3
КорпусTO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP9240PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFP9240PBF datasheet
785.5 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAI/QTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 800 12.49 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   DC COMPONENTS 16 651 3.41 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   DIOTEC 1 414 4.02 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   OTHER Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   KEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)     15 368 1.07 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   --- Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NO TRADEMARK Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MULTICOMP Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   HOTTECH 152 1.34 
>100 шт.   0.67 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   CHINA 9 576 1.15 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ZH Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ASEMI 4 231 1.03 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   KEEN SIDE Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MERRYELC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   RUME 480 1.52 
>100 шт.   0.76 
IRF9510 Транзистор полевой   INTERNATIONAL RECTIFIER 80 94.48 
IRF9510 Транзистор полевой   RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF9510 Транзистор полевой   VISHAY 991 74.42 
IRF9510 Транзистор полевой     3 113.40 
IRF9510 Транзистор полевой   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF9510 Транзистор полевой   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   VISHAY 276 179.88 
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   HARRIS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   INTERSIL Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   HARRIS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   INTERSIL Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   ISIL Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   SILICONIX 19 цена радиодетали
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W     720 65.84 
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240PBF N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, ...   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240PBF N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, ...   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240PBF N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, ...   SILICONIX Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240PBF N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, ...   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP240PBF N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, ...     Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST MICROELECTRONICS 26 394.30 
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц     20 572.04 
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   СИНГАПУР Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   4-7 НЕДЕЛЬ 196 цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход