Версия для печати
Технические характеристики IRFP9240PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 7.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFP9240PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRFP9240PBF datasheet 785.5 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY	292	213.23
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W		2	60.98
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1
		IRFP240PBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, ...	VISHAY
		IRFP240PBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, ...	Vishay/Siliconix
		IRFP240PBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, ...	SILICONIX
		IRFP240PBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP240PBF		N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, ...
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIR
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERSIL
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	SAMSUNG
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	VISHAY	2	493.19
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIRCHILD
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIRCHILD
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERSIL
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	SAMSUNG
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	Vishay/Siliconix
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	КИТАЙ
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А		300	120.72
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIR
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	DIOTEC	61	2.36
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD	2 683
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MCC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	Fairchild Semiconductor
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223		46 000	1.72  >100 шт.   0.86
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	КИТАЙ
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	ONS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YJ	142 570	2.07
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FSC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY ME
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	HOTTECH	23 931	1.44  >100 шт.   0.72
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	KLS	16	1.49
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	SUNTAN
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE (YJ)
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YOUTAI	22 173	1.20  >100 шт.   0.60
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	JSCJ	42 285	1.48  >100 шт.   0.74
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	HXY	1 894	1.42  >100 шт.   0.71
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	JSMICRO	59 890	1.26  >100 шт.   0.63
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	XXW	29 988	1.20  >100 шт.   0.60
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	KEEN SIDE	6 320	1.52  >100 шт.   0.76
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	15850	80	1.02  >500 шт.   0.34
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS	26	394.30
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц		20	572.04
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	STMICROELECTRONICS
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	СИНГАПУР
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST1
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRO
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	1
		TDA7294V		ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	4-7 НЕДЕЛЬ	196

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"