Версия для печати
Технические характеристики IRF9510

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	200pF @ 25V
Power - Max	43W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRF9510S (Дискретные сигналы) 100V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF9510STRL, IRF9510STRR Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF9510 datasheet 176.75Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	81.20
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	VISHAY
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	FAIR
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	HARRIS
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	INTERSIL
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W			61.68
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	HARRIS
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	INTERSIL
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	Vishay/Siliconix
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	FAIRCHILD
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF510		Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W	КИТАЙ
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY	292	204.33
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W			155.76
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY	18	1 125.45
		MBR10100		Диод Шоттки 10 A. 100 В	VISHAY
		MBR10100		Диод Шоттки 10 A. 100 В	ON SEMICONDUCTOR
		MBR10100		Диод Шоттки 10 A. 100 В	ON SEMICONDUCTOR
		MBR10100		Диод Шоттки 10 A. 100 В	GALAXY
		MBR10100		Диод Шоттки 10 A. 100 В			140.00
		MBR10100		Диод Шоттки 10 A. 100 В	GALAXY ME
		MBR10100		Диод Шоттки 10 A. 100 В	YANGJIE	1 320	24.02
		MBR10100		Диод Шоттки 10 A. 100 В	YJ	4 143	12.67
		MD2202-D128-X			SanDisk

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"