IRFP150MPBF
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 23A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Power - Max | 160W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ГТ321Г |
|
Транзистор биполярный германиевый 160мВт, 2.5В | 1 | 25.20 | ||
| КТ 605 АМ | RUS |
|
|
|||||
 |
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | 48 581 | 7.40 | ||
|
|
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | НАЛЬЧИК |
|
|
|
| КТ807А | 37 | 30.24 | ||||||
| КТ807А | УЛЬЯНОВСК |
|
|
|||||
| КТ807А | ИСКРА |
|
|
|||||
 |
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 2 193 | 27.75 | ||
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 480 | 28.35 | |
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 3 729 | 37.80 | |
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
