ПЛ-3-1ПД56

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC2383	Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz			11.88
2SC2383	Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz	FAIR
2SC2383	Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz	TOSHIBA
2Д202В	Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц		268	30.24
2Д202В	Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц	СТАРТ	11	16.96
2Д202В	Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц	RUS
2Д202В	Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц	РОССИЯ
2Д202В	Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц	СЗТП
2Д202В	Выпрямительный диод 100В, 1мА, 5кГц	33
К10-17Б-56 ПФ			8	7.40
КР1014КТ1В			517	18.50
КР1014КТ1В		ГРАВИТОН
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		427	11.78
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	880	17.18
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	16.96
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 112	16.96
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	7.85
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4