| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
|
20 783
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
DC COMPONENTS
|
10 473
|
1.82
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MAX756EPA+ |
|
DC/DC повышающий, Ind
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX756EPA+ |
|
DC/DC повышающий, Ind
|
MAX
|
|
|
|
|
|
MAX756EPA+ |
|
DC/DC повышающий, Ind
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
MAX756EPA+ |
|
DC/DC повышающий, Ind
|
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
|
5 086
|
6.20
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
BM
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
NXU
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
NLT
|
80
|
6.17
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
КИТАЙ
|
156
|
12.40
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
RUICHI
|
286
|
6.30
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS
|
870
|
32.36
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
|
9
|
102.06
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
1
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
333
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
DC COMPONENTS
|
8 408
|
9.04
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
|
|
15.20
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
MIC
|
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
LGE
|
24
|
9.30
|
|
|
|
W04M |
|
Диодный мост 0,5A 400V
|
HOTTECH
|
|
|
|