Версия для печати
Технические характеристики SH400M4R70B5S-1015

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	400 В
Емкость	4.7 мкФ
Ток утечки	66 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.2
Максимальный ток пульсаций	0.057 А
Шаг выводов	5 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 10x15
Рабочая температура	-40...105 °C
	For General
Серия	SH
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BFC237351474		Пленочный конденсатор 0.47 мкФ 400 В	VISHAY
		BFC237351474		Пленочный конденсатор 0.47 мкФ 400 В
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	5 437	17.82
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ
		TIP35C		Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц	FAIR
		TIP35C		Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц	ST MICROELECTRONICS	80	132.74
		TIP35C		Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц		4	264.60
		TIP35C		Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц	STMicroelectronics	1	84.72
		TIP35C		Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц	ON Semiconductor
		TIP35C		Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI	23
		TIP35C		Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц	ST MICROELECTRO
		TIP35C		Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц	STMICROELECTR
		TIP35C		Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц	0.00
		TIP35C		Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц	1
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRONICS	2	60.48
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om		6	136.08
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRONICS SEMI
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	STMicroelectronics
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	КИТАЙ
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRO
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	STMICROELECTR
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	1
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	4-7 НЕДЕЛЬ
		КТ399АМ		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...			38.20
		КТ399АМ		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...	СВЕТЛАНА	266	41.38
		КТ399АМ		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"