STB19NF20

Версия для печати

Технические характеристики STB19NF20

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 7.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	800pF @ 25V
Power - Max	90W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB19NF20 (MOSFET)

N-channel 200V - 0.15? - 15A - D2PAK MESH OVERLAY™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB19NF20 datasheet
533.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF3808PBF	Транзистор N-Канальный 75V 140A 330W 0,007R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3808PBF	Транзистор N-Канальный 75V 140A 330W 0,007R	INFINEON	4 240	113.65
IRF3808PBF	Транзистор N-Канальный 75V 140A 330W 0,007R		1 072	100.64
IRG7S313UPBF		International Rectifier
IRG7S313UPBF		INFINEON
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц			1 133.24
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	МЕКСИКА
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	INFINEON
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	IR/VISHAY	12	871.20
RJP63F3ADPP	IGBT транзистор, 630В, 40А, 30Вт	RENESAS
RJP63F3ADPP	IGBT транзистор, 630В, 40А, 30Вт