IRG7S313UPBF
|
IGBT N-CH 330V 40A D2PAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | Trench |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 330V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.14V @ 15V, 60A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
| Power - Max | 78W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| M57962AL-01 |
|
Контроллер | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| M57962AL-01 |
|
Контроллер |
|
39.00 | ||||
| M57962AL-01 |
|
Контроллер | ISAH |
|
|
|||
| M57962AL-01 |
|
Контроллер | 4-7 НЕДЕЛЬ | 92 |
|
|||
 |
RJP63F3ADPP |
|
IGBT транзистор, 630В, 40А, 30Вт | RENESAS |
|
|
||
|
|
RJP63F3ADPP |
|
IGBT транзистор, 630В, 40А, 30Вт |
|
|
|||
 |
 |
STB19NF20 |
|
N-channel 200v - 0.15? - 15a - d2pak mesh overlay™ power mosfet | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STB19NF20 |
|
N-channel 200v - 0.15? - 15a - d2pak mesh overlay™ power mosfet | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STB19NF20 |
|
N-channel 200v - 0.15? - 15a - d2pak mesh overlay™ power mosfet | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STB19NF20 |
|
N-channel 200v - 0.15? - 15a - d2pak mesh overlay™ power mosfet | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STB19NF20 |
|
N-channel 200v - 0.15? - 15a - d2pak mesh overlay™ power mosfet |
|
|
||
| UC28025N | UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS |
|
|
|||||
| UC28025N |
|
|
||||||
| UC28025N | UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C |
|
|
|||||
| UC28025N | Texas Instruments |
|
|
|||||
| UC28025N | TEXAS |
|
|
|||||
| UC28025N | 4-7 НЕДЕЛЬ | 489 |
|
|||||
| UCC27222PWPR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| UCC27222PWPR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
