| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
|
221
|
286.75
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
НТЦ
|
|
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
БРЯНСК
|
1 514
|
222.60
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
КРЕМНИЙ
|
133
|
197.07
|
|
|
|
|
К1182ПМ1Р |
|
Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, ...
|
1913
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
|
1
|
29.60
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
МСХ1
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
ЛАТВИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
АЛЬФА РИГА
|
688
|
113.65
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
АЛЬФА
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
|
609
|
34.59
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
КРЕМНИЙ
|
670
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
БРЯНСК
|
1 590
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
1988
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ - 0.5 ВТ 27 КОМ 5% |
|
|
|
1 164
|
1.43
|
|
|
|
|
СН1-1 1500В 10% |
|
|
АРМЕНИЯ СИРИУС
|
744
|
21.20
|
|
|
|
|
СН1-1 1500В 10% |
|
|
ПРОГРЕСС
|
3 136
|
21.20
|
|
|
|
|
СН1-1 1500В 10% |
|
|
3940
|
|
|
|
|
|
|
СН1-1 1500В 10% |
|
|
931
|
|
|
|
Версия для печати
