|  |  | Наименование |  | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | 
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | NXP | 2 892 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) |  | 90 384 | 1.06 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | ON SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | GALAXY | 485 | 2.07 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | NXP | 3 888 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | Diodes Inc |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DI |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DC COMPONENTS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DIODES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DIOTEC | 15 312 | 2.31 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | ONSEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | INFINEON | 102 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | HOTTECH | 40 921 | 1.36 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | PANJIT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | SEMTECH | 11 | 2.78 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | WUXI XUYANG | 52 | 2.46 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | SEMICRON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | KOME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | NXP/NEXPERIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | YANGJIE (YJ) |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | JSCJ | 12 064 | 1.08 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | YJ | 246 964 | 2.07 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | XXW | 55 678 | 1.17 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | CJ | 7 720 | 1.06 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | KEEN SIDE | 464 | 1.04 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | MERRYELC | 68 | 1.05 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | DS2406P+ |   | Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В | MAXIM |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | DS2406P+ |   | Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В | MAX |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | DS2406P+ |   | Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В | Maxim Integrated Products |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | DS2406P+ |   | Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В | МАХ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | DS2413P+ |   | Порт ввода/вывода адресуемый | MAXIM |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | DS2413P+ |   | Порт ввода/вывода адресуемый | DALLAS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | DS2413P+ |   | Порт ввода/вывода адресуемый | MAX |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | DS2413P+ |   | Порт ввода/вывода адресуемый | DS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | DS2413P+ |   | Порт ввода/вывода адресуемый | Maxim Integrated Products |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | DS2413P+ |   | Порт ввода/вывода адресуемый | MAXIM |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MC78L12ABDG |   | Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C) | ON SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MC78L12ABDG |   | Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C) | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MC78L12ABDG |   | Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C) |  |   | 21.20 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MC78L12ABDG |   | Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C) | МАЛАЙЗИЯ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MC78L12ABDG |   | Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C) | ON SEMIC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MC78L12ABDG |   | Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C) | ONSEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MC78L12ABDG |   | Линейный СН (Vout=12.0V, Vinmax=35V, Udrop=1.7V, -40 to +125C) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 45 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |  | АОТ166А |   | (5П32Е) | ПРОТОН | 2 139 | 174.30 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |  | АОТ166А |   | (5П32Е) |  | 160 | 138.00 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |  | АОТ166А |   | (5П32Е) | ИЗЛУЧАТЕЛЬ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |  | АОТ166А |   | (5П32Е) | ПРОТОН |   |   |  |