| Количество каналов | 1 |
| Постоянное прямое входное напряжение Uвх.,В | 1.2 |
| при входном токе Iвх.,мА | 1 |
| Выходной каскад | биполярный транзистор |
| Коэффициент передачи тока CTR,% | 300 |
| при входном токе Iвх.,мА | 1 |
| Время нарастания выходного сигнала tнр.,мкс | 5 |
| Время спада выходного сигнала tсп.,мкс | 50 |
| Сопротивление изоляции между входной и выходной цепями,ГОм | 100 |
| Максимальное напряжение изоляции,В | 1500 |
| Рабочая температура, С | -25...85 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.68
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
90 384
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
485
|
2.08
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
15 312
|
2.31
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
40 921
|
1.36
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.78
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
2.46
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
12 064
|
1.09
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
246 964
|
2.07
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
55 678
|
1.17
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
7 720
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
464
|
1.04
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
68
|
1.05
|
|
|
|
|
BLM21AG221SN1D |
|
Частотный фильтр
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BLM21AG221SN1D |
|
Частотный фильтр
|
|
|
6.08
|
|
|
|
|
BLM21AG221SN1D |
|
Частотный фильтр
|
MUR
|
130 744
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
|
BLM21AG221SN1D |
|
Частотный фильтр
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BLM21AG221SN1D |
|
Частотный фильтр
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BLM21AG221SN1D |
|
Частотный фильтр
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS2406P+ |
|
Адресуемый транзисторный ключ с 1‑Wire‑интерфейсом 2,8-6В
|
МАХ
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
YOUTAI
|
2 844
|
7.02
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
UMW
|
|
|
|
|
|
MOC3043M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 400V, 60mA, Iоткр=5mA, Схема перехода через ноль
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|