| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
TDA2003V |
|
Усилитель низкой частоты 10W (14V/2 Ом)
|
|
|
51.16
|
|
|
|
|
TDA2003V |
|
Усилитель низкой частоты 10W (14V/2 Ом)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2003V |
|
Усилитель низкой частоты 10W (14V/2 Ом)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2003V |
|
Усилитель низкой частоты 10W (14V/2 Ом)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2003V |
|
Усилитель низкой частоты 10W (14V/2 Ом)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA2003V |
|
Усилитель низкой частоты 10W (14V/2 Ом)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
162
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
|
2 775
|
4.68
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВ
|
152
|
6.30
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
960
|
12.40
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
191
|
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
|
|
38.64
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
П 401 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ФП1П1-60.04 |
|
|
ВОЛГОГРАД
|
|
|
|
|
|
|
ФП1П1-60.04 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
