FDS8884
N-channel powertrench mosfet
|
|
Версия для печати
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 635pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDS8884 (MOSFET) N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3-233-1, РАЗЪЕМ ПИТАНИЯ 5.5X2.1ММ ГН ПЛАСТИК НА КОРПУС С ГАЙКОЙ МЕТЛ | КИТАЙ |
|
|
|||||
 |
 |
IRFHM831TR2PBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRFHM831TR2PBF |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
IRFHS8342TR2PBF |
|
International Rectifier |
|
|
|||
|
|
IRFHS8342TR2PBF |
|
INFINEON |
|
|
|||
| ДИХЛОРЭТАН 500 МЛ |
|
|
||||||
| ПАСТА ТЕПЛОПРОВОДНАЯ КПТ-8 10ГР |
|
|
||||||
| ПАСТА ТЕПЛОПРОВОДНАЯ КПТ-8 10ГР | CONNECTR |
|
|
