| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 (1A 1000V) |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
6 885
|
3.64
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 614
|
3.98
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
712
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
2 400
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
65 622
|
0.65
>1000 шт. 0.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 580
|
1.80
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
72
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
2 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
|
2N5551-YBU |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N5551-YBU |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
2N5551-YBU |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
2N5551-YBU |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
|
82
|
80.96
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
MIC
|
761
|
23.37
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
---
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
HOTTECH
|
170
|
29.33
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
TRR
|
1 760
|
24.04
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
RUME
|
692
|
22.92
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
|
23 208
|
1.39
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
OTHER
|
3 972
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
PANJIT
|
732
|
1.90
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
RUME
|
24 400
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|