Версия для печати
Технические характеристики BYV42E-200,127

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 30A
Current - Reverse Leakage @ Vr	100µA @ 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Reverse Recovery Time (trr)	28ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

BYV42E-200,127 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007 (1A 1000V)
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	4 832	5.08
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 752	4.05
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		4 800	1.96  >100 шт.   0.98
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	65 306	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.01
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.04
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5551-YBU			FAIR
		2N5551-YBU			FSC
		2N5551-YBU			ONS	3 246	8.71
		2N5551-YBU			ONS-FAIR
		BR1010		Диодный мост выводной	MCC
		BR1010		Диодный мост выводной		82	80.96
		BR1010		Диодный мост выводной	DC COMPONENTS
		BR1010		Диодный мост выводной	MIC	1 267	30.17
		BR1010		Диодный мост выводной	GALAXY
		BR1010		Диодный мост выводной	КИТАЙ
		BR1010		Диодный мост выводной	MASTER INSTRUMENT CO
		BR1010		Диодный мост выводной	---
		BR1010		Диодный мост выводной	GALAXY ME
		BR1010		Диодный мост выводной	HOTTECH	162	49.05
		BR1010		Диодный мост выводной	TRR	1 760	24.14
		BR1010		Диодный мост выводной	RUME	692	23.02
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%		24 008	1.36
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIR
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	VISHAY
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIRCHILD
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	FAIRCHILD
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	OTHER	3 972
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	GALAXY
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	Fairchild Semiconductor
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	КИТАЙ
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	KINGTRONICS
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	GALAXY ME	1 137	1.89
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	PANJIT	732	2.12
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	HOTTECH	36 940	1.90  >100 шт.   0.95
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	YANGJIE (YJ)
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	KLS
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	1
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	YIXING	18 800	1.16  >100 шт.   0.58
		BZX55C15		Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%	RUME	16 000	1.16  >100 шт.   0.58

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"