| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
10 617
|
6.78
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 077
|
4.74
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
635
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
1 776
|
3.72
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
|
6.68
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
49 084
|
0.70
>1000 шт. 0.14
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 580
|
1.08
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
632
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
40
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
5725
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
RUME
|
21 600
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SLKOR
|
410
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAXIM
|
1 824
|
70.68
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DALLAS
|
38
|
70.68
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
|
|
128.56
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAXIM/DALLAS
|
26
|
160.06
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
1
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
709
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
1050
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
2
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
380
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
880
|
|
|
|
|
|
MC34063ACN |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC34063ACN |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC34063ACN |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
|
|
732.00
|
|
|
|
MC34063ACN |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MC34063ACN |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MC34063ACN |
|
DC-DC преобразователь интегральный Тип: Buck, Boost, Inverting; Uвх: 3...40 В; Uвых: ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
468
|
|
|
|
|
MJL1302AG |
|
Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MJL1302AG |
|
Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А
|
ONS
|
47
|
481.32
|
|
|
|
MJL1302AG |
|
Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А
|
|
108
|
129.28
|
|
|
|
|
SK250M4R70B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 250 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SK250M4R70B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 250 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|