| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
11 217
|
8.06
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 200
|
3.75
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
672
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
1 932
|
4.24
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
|
6.68
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
71 612
|
0.55
>1000 шт. 0.11
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 580
|
1.08
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
712
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
40
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
5725
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
RUME
|
23 200
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SLKOR
|
1 520
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
|
|
72.00
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
MIC
|
627
|
29.24
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
---
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
HOTTECH
|
143
|
27.01
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
TRR
|
1 600
|
21.99
|
|
|
|
|
BR1010 |
|
Диодный мост выводной
|
RUME
|
532
|
20.97
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAXIM
|
1 824
|
80.56
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DALLAS
|
38
|
80.56
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
|
|
128.56
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAXIM/DALLAS
|
26
|
160.06
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
1
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
709
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
1050
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
2
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
380
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
880
|
|
|
|
|
|
MJL1302AG |
|
Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MJL1302AG |
|
Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А
|
ONS
|
88
|
412.02
|
|
|
|
MJL1302AG |
|
Транзистор биполярный для аудиоприложений NPN , 200Вт, 30МГц, 260В, 15А
|
|
140
|
147.74
|
|
|
|
|
КТ 3157 А |
|
|
RUS
|
|
|
|