| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BC846B.235 |
|
|
NXP
|
|
|
|
 |
 |
BC856B,215 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
BC856B,215 |
|
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BC856B,215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC856B,215 |
|
|
NEX
|
|
|
|
|
|
|
BC856B,215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BC856B,215 |
|
|
NEXPERIA
|
58 285
|
|
|
|
|
|
BC856B,215 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BC856B,215 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARP
|
12 334
|
8.27
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
|
32
|
12.95
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVL
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARPLCD
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
MICRONE
|
3 477
|
2.95
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
CHE
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
YOUTAI
|
56 524
|
3.76
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SLKOR
|
16 712
|
1.91
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
336
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
RUME
|
155 680
|
1.99
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
TOSHIBA
|
24 483
|
34.10
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
TOS
|
1
|
24.62
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
608
|
|
|
|
|
|
ULN2803AFWG |
|
|
5604
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
|
742
|
41.95
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
СТАРТ
|
200
|
42.36
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307НМ |
|
Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
