ПАЯЛЬНАЯ НАСАДКА М20-DC-02 ВОЛНА 2.5 ММ
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC1398 | MATSUSHITA |
|
|
||||
|
|
2SC1398 |
|
|
|||||
| MJE800G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJE800G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJE800G |
|
|
||||||
| MJE800G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| MJE800G | ONS |
|
|
|||||
| REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C | ANALOG |
|
|
|||
| REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C | Analog Devices Inc |
|
|
|||
| REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C | США |
|
|
|||
| REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||
| REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C |
|
302.80 | ||||
| REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C |
|
302.80 | ||||
| REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 200 |
|
|||
| SI4840DY-T1 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI4840DY-T1 | SILICONIX | 391 |
|
|||||
| SI4840DY-T1 | VISHAY | 781 |
|
|||||
| TPS40210DGQR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS40210DGQR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS40210DGQR | TEXAS |
|
|
|||||
| TPS40210DGQR | 128 | 106.92 |
