| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
311
|
125.17
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
|
727
|
107.74
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
EVVO
|
1 032
|
74.80
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
JSMICRO
|
1 325
|
75.26
|
|
|
|
|
L3G4200D |
|
Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
L3G4200D |
|
Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом
|
|
|
1 417.60
|
|
|
|
|
L3G4200D |
|
Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L3G4200D |
|
Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом
|
МАЛЬТА
|
|
|
|
|
|
|
L3G4200D |
|
Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
L3G4200D |
|
Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
102
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
|
756
|
41.52
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LM335Z |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
275
|
|
|
|
|
|
SA56-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
SA56-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
SA56-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
|
|
53.44
|
|
|
|
|
SA56-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KGB
|
1 511
|
96.30
|
|
|
|
|
SA56-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
Kingbright Corp
|
|
|
|
|
|
|
SA56-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
ПЛАТА МАКЕТНАЯ MCU |
|
Плата макетная позволит в сжатые сроки собрать макет устройства, в котором ...
|
|
|
1 084.00
|
|
|
|
|
ПЛАТА МАКЕТНАЯ MCU |
|
Плата макетная позволит в сжатые сроки собрать макет устройства, в котором ...
|
КОМ
|
|
|
|
Версия для печати
