| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
DIOTEC
|
91 339
|
3.10
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 600
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
OTHER
|
4
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
|
26 211
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
LGE
|
168
|
1.89
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
HOTTECH
|
69 600
|
2.07
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
KLS EL
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
NEX-NXP
|
1 440
|
8.27
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
JSMICRO
|
1 580
|
1.25
|
|
|
|
BC547C |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...
|
KEEN SIDE
|
766
|
1.16
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
4
|
238.14
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
|
248
|
88.20
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTRESIL
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
IR/VISHAY
|
12
|
217.80
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
HXY
|
16
|
115.98
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
75.60
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
15
|
79.55
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
78
|
20.45
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
19 440
|
12.86
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
491
|
8.47
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
К75-15-3КВ-0.1 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 3000 В
|
|
|
1 341.60
|
|
|
|
|
К75-15-3КВ-0.1 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 3000 В
|
ЗАРЯД
|
|
|
|