ТП-122- 7

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
X7R-0.047UF 10% 50V	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 50 В	SUNTAN
X7R-0.047UF 10% 50V	Керамический конденсатор 0.047 мкФ 50 В			10.80
К50-35-16В-47 МКФ-(+50-20)%			3 845	3.70
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А		46 173	2.96
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	RUS
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	СЗТП	80	12.49
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	ФОТОН
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КПТ-8 ТЕРМОПАСТА ТЮБИК 17 ГР.		ПИМ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		135	29.44
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 200	33.57
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 818	38.16
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1150
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3240