RTQ045N03TR
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 540pF @ 10V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TSMT6 |
| Корпус | TSMT6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1SMA5915BT3 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 1SMA5915BT3 | ON SEMICONDUCTOR | 5 008 |
|
|||||
 |
 |
1SMA5915BT3G |
|
ON Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1SMA5915BT3G |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1SMA5915BT3G |
|
|
|
|||
| W25Q32FVSSIG | WINBOND |
|
|
|||||
| W25Q32FVSSIG | 4 | 166.32 | ||||||
| W25Q32FVSSIG | WIN |
|
|
|||||
| W25Q32FVSSIG | WINBOND | 19 | 74.38 | |||||
| W25Q32FVSSIG | 1 |
|
|
|||||
| W25Q32FVSSIG | 4-7 НЕДЕЛЬ | 180 |
|
