| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 633
|
1.79
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
246
|
1.47
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
23 908
|
2.71
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.11
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
8
|
3.14
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
32 398
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
5 216
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.06
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
102 001
|
1.64
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
53 765
|
2.18
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
4 676
|
1.22
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
5 797
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
50 484
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
14
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
6500
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
69 600
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
48 000
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
60 000
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NXP
|
40
|
5.37
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
|
23 593
|
3.48
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
-
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
ГОНКОНГ
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
КИТАЙ
|
1 440
|
4.47
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
HOTTECH
|
6 213
|
1.86
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
DIOTEC
|
324
|
6.46
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
YJ
|
28 124
|
4.13
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
JSCJ
|
8 039
|
5.20
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KOME
|
824
|
4.55
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
XSEMI
|
7 184
|
3.00
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KEXIN
|
8 832
|
2.34
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
RUME
|
4 000
|
1.78
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
95
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
4021
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C18.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 18V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C18.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 18V
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C18.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 18V
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C18.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 18V
|
|
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K01L |
|
|
YAGEO
|
131 520
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K01L |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K01L |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
YAGEO
|
314 625
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
|
|
2.96
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
YAGEO
|
162 962
|
|
|