|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
MICRO CHIP
|
1 200
|
20.66
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
|
11
|
39.06
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
526
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
DC COMPONENTS
|
74 016
|
1.49
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
HOTTECH
|
9
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
|
12 860
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KINGTRONICS
|
21 600
|
2.07
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
HOTTECH
|
129 447
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
SEMTECH
|
4
|
1.41
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
NEX-NXP
|
16 000
|
4.13
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KUU
|
312
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
13.24
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
112 254
|
1.77
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KLS
|
1 032
|
5.14
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
53 665
|
6.85
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
17
|
3.21
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
|
|
85.76
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
384
|
|
|