| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
MICRO CHIP
|
3 277
|
26.72
|
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
|
11
|
39.06
|
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
526
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
DC COMPONENTS
|
40 891
|
1.95
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C15 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 15 V, 5%
|
HOTTECH
|
217
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
 |
 |
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
|
22 860
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KINGTRONICS
|
21 600
|
3.10
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
HOTTECH
|
103 493
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
NEX-NXP
|
16 000
|
5.17
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KUU
|
320
|
1.09
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
13.24
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
290 430
|
2.47
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KLS
|
1 179
|
4.85
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
60 956
|
6.46
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
17
|
4.05
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
|
|
85.76
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
384
|
|
|
Версия для печати
