| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
24LC04B-I/P |
|
EEPROM512x8, I2C, INDDIP8
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/P |
|
EEPROM512x8, I2C, INDDIP8
|
|
|
65.88
|
|
|
|
|
24LC04B-I/P |
|
EEPROM512x8, I2C, INDDIP8
|
MICRO CHIP
|
36
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/P |
|
EEPROM512x8, I2C, INDDIP8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/P |
|
EEPROM512x8, I2C, INDDIP8
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/P |
|
EEPROM512x8, I2C, INDDIP8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/P |
|
EEPROM512x8, I2C, INDDIP8
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/P |
|
EEPROM512x8, I2C, INDDIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
500
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/SN |
|
|
|
|
47.52
|
|
|
|
|
24LC04B-I/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
46
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/SN |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/SN |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/SN |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/SN |
|
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
24LC04B-I/SN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
208
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
|
6 860
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KINGTRONICS
|
19 200
|
3.10
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
HOTTECH
|
38 676
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
SEMTECH
|
4
|
1.37
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
NEX-NXP
|
16 000
|
5.17
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KUU
|
310
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
XXW
|
32 340
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
106
|
12.60
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
185 958
|
2.13
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KLS
|
1 152
|
5.00
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
48 715
|
3.52
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
4 140
|
2.23
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
5830
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
RUME
|
14 400
|
3.26
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
|
|
85.76
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
384
|
|
|