|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
893
|
3.22
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
73 592
|
1.88
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
541
|
1.61
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
18 091
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
632 683
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
378 019
|
1.08
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.17
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
1 840
|
4.13
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
9 437
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
138
|
1.03
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
50 502
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
45 760
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
2 464
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
1 840
|
1.68
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ASEMI
|
32 513
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
8 832
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 032
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
БРЕСТ
|
10 587
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
266
|
4.91
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
DC COMPONENTS
|
104 350
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
87
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
SEMTECH
|
3 291
|
1.37
|
|
|
|
RXE110 |
|
|
RAYCHEM
|
|
|
|
|
|
RXE110 |
|
|
RAYC
|
|
|
|
|
|
RXE110 |
|
|
|
1
|
21.78
|
|
|
|
RXE110 |
|
|
RAYCHEM
|
|
|
|
|
|
RXE110 |
|
|
TE Connectivity
|
|
|
|
|
|
RXE110 |
|
|
|
1
|
21.78
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
|
442
|
143.52
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
МИКРО-М
|
1 222
|
247.97
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
ММ
|
|
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
ВИСМУТ
|
|
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
КОНТИНЕНТ
|
|
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
МИКРО М
|
|
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
КВАЗАР
|
30
|
63.00
|
|
|
|
КР544УД2А |
|
Широкополосный операционный дифференциальный усилитель с высоким входным ...
|
ВОСТОК НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ДНЕПР
|
1 048
|
210.00
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
|
58
|
234.36
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САПФИР
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ПО "ДНЕПР"
|
202
|
299.63
|
|