|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
67
|
181.50
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
1 817
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
|
796
|
248.36
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
88
|
1 277.78
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 278
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
2 459
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
SHIKUES
|
7 717
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
JSCJ
|
987 784
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
335
|
5.52
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
648 828
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
|
|
6.00
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
TSC
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
REC
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YJ
|
23 455
|
1.80
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
SUNTAN
|
2 624
|
2.19
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
ASEMI
|
52
|
1.70
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
40
|
1.68
|
|
|
|
HER106 |
|
Диод 600V, 1A, 70nS
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
314
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
3 316
|
19.46
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
IR/VISHAY
|
1
|
29.04
|
|