Версия для печати
Технические характеристики IRFB3077PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	120A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9400pF @ 50V
Power - Max	370W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551YBU		Транзистор NPN 160В, 0.6A, 0.35Вт, 100МГц	FAIR
		2N5551YBU		Транзистор NPN 160В, 0.6A, 0.35Вт, 100МГц	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		2N5551YBU		Транзистор NPN 160В, 0.6A, 0.35Вт, 100МГц	Fairchild Semiconductor
		2N5551YBU		Транзистор NPN 160В, 0.6A, 0.35Вт, 100МГц
		2N5551YBU		Транзистор NPN 160В, 0.6A, 0.35Вт, 100МГц	FAIRCHILD
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS	856	16.53
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц		8 004	2.90
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	STMICROELECTRONICS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MCC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON Semiconductor
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTR
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST1
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRO
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	МИНСК
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	NXP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MULTICOMP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	CJ
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	HOTTECH	400	6.39
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	TRR	6 312	2.90
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	JSCJ	6 092	11.09
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	KEEN SIDE	2 976	4.17
		GRM43DR72J104KW01L		Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).	MURATA
		GRM43DR72J104KW01L		Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).		1 520	7.36
		GRM43DR72J104KW01L		Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).	Murata Electronics North America
		GRM43DR72J104KW01L		Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).	MUR	134 215	6.00
		GRM43DR72J104KW01L		Конденсатор керамический smd (C=0.1mkF +/-10%, X7R, 630 V, размер 1812).	MURATA
		IRFB4410Z			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB4410Z				321	48.31
		IRFB4410Z			INFINEON
		IRFB4410Z			1
		IRFB4410Z			EVVO	3 973	18.54
		IRFB4410Z			HXY
		LM2576HVS-ADJ			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2576HVS-ADJ					608.00
		LM2576HVS-ADJ			NSC
		LM2576HVS-ADJ			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2576HVS-ADJ			TEXAS INSTRUMENTS
		LM2576HVS-ADJ			TEXAS
		LM2576HVS-ADJ			YOUTAI	190	100.05
		LM2576HVS-ADJ			UMW	36	113.65
		LM2576HVS-ADJ			UMW-YOUTAI
		LM2576HVS-ADJ			4-7 НЕДЕЛЬ	231

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"