Версия для печати
Технические характеристики T491A105K016AT

Высота	0.071" (1.80mm)
Корпус (размер)	1206 (3216 Metric)
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Допустимые отклонения емкости	±10%
Серия	T491
ESR (Equivalent Series Resistance)	10.00 Ohm
Возможности	General Purpose
Тип монтажа	Поверхностный
Номинальное напряжение	16V
Тип	Электролитический танталовый
Manufacturer Size Code	A
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Емкость	1.0µF
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±10%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	73 020	1.64
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	305 983	1.48
		1N4007			DIOTEC	71 820	2.84
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	311 617	1.28
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	816	5.47
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				1 916	3.70
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	171	1.03
		1N4007			HOTTECH	124 736	1.96  >100 шт.   0.98
		1N4007			KLS	136	2.07
		1N4007			YS	2 311	1.38
		1N4007			YANGJIE	71 392	1.43
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU	4	0.99  >500 шт.   0.33
		1N4007			CHINA
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	61 052	1.20
		1N4007			TWGMC	20 350	1.17  >500 шт.   0.39
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	85	1.76
		1N4007			ASEMI	1	1.48  >100 шт.   0.74
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		1N4007			KEEN SIDE	437 442	1.12  >100 шт.   0.56
		7805C(TO-220)		Стабилизатор положительного напряжения
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	4 821
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS-FAIR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONSEMI
		RC0402JR-0724RL			YAGEO	4 994 898
		RC0402JR-0724RL
		T491D476K010AT			KEMET
		T491D476K010AT			KEMET	4 137
		T491D476K010AT
		T491D476K010AT			МЕКСИКА

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"