| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
55 300
|
113.65
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM/DALLAS
|
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
|
|
364.00
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX
|
14 428
|
120.73
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DS
|
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX/DALL
|
78
|
233.55
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGRATED
|
4 720
|
125.03
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
1
|
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
ANALOG DEVICES
|
64
|
131.83
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
284
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-1.50K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 1,5кОм,0,125Вт, 1%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-1.50K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 1,5кОм,0,125Вт, 1%
|
|
|
2.80
|
|
|
|
|
MF-0.125-10.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 10кОм, 1%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-10.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 10кОм, 1%
|
|
|
2.80
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
501
|
10.67
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
791
|
9.83
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
6 866
|
13.02
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
