Версия для печати
Технические характеристики 6A10

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	950mV @ 6A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V (1kV)
Current - Average Rectified (Io)	6A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 1000V
Diode Type	Standard
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	R6, Axial
Корпус	R-6

EPM3256A MAX 3000A and#174; Programmable Logic Device Family Также в этом файле: EPM3256A-10 Производитель: Altera Corporation //www.altera.com 6A10 datasheet 678.59Kb 42стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5400		Диод 3А, 50В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	DIODES
		1N5400		Диод 3А, 50В	FAIR
		1N5400		Диод 3А, 50В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5400		Диод 3А, 50В	MSIS
		1N5400		Диод 3А, 50В	ON SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	TAITRON COMPONENTS
		1N5400		Диод 3А, 50В	DC COMPONENTS	6 982	3.81
		1N5400		Диод 3А, 50В	SMK
		1N5400		Диод 3А, 50В	FAIRCHILD	260	6.30
		1N5400		Диод 3А, 50В	FAIRCHILD
		1N5400		Диод 3А, 50В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5400		Диод 3А, 50В	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N5400		Диод 3А, 50В	MSIS SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	TAITRON COMPONENTS
		1N5400		Диод 3А, 50В	Fairchild Semiconductor
		1N5400		Диод 3А, 50В	MICROSEMI CORP
		1N5400		Диод 3А, 50В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5400		Диод 3А, 50В	MOTOROLA	121
		1N5400		Диод 3А, 50В	КИТАЙ
		1N5400		Диод 3А, 50В	KINGTRONICS
		1N5400		Диод 3А, 50В	DIOTEC
		1N5400		Диод 3А, 50В		123	15.12
		1N5400		Диод 3А, 50В	MIC
		1N5400		Диод 3А, 50В	SEMTECH
		1N5400		Диод 3А, 50В	SUNTAN	1 892	6.70
		1N5400		Диод 3А, 50В	KLS
		1N5400		Диод 3А, 50В	1
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	8 617	3.61
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	2 718	4.44
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		27 600	1.06
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	445	1.86
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.23
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	1 684	1.68
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJI ELECTRIC	80	230.58
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJITSU
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W		1	277.50
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJ
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJI
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	КИТАЙ
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	ISCSEMI
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	INCHANGE	96	185.98
		BTA26-600B		Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA		841	74.60
		BTA26-600B		Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA	ST MICROELECTRONICS	4 971	136.50
		BTA26-600B		Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA	1
		BTA26-600B		Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA	KY	7	28.07
		KBPC2508W			DC COMPONENTS
		KBPC2508W

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"