LF353DR
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | ±3.5 V ~ 18 V |
| Ток выходной | 3.6mA |
| Напряжение входного смещения | 5000µV |
| Ток - входного смещения | 50pA |
| Полоса пропускания | 3MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 13 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | J-FET |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
