SI2309CDS-T1-GE3
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 345 mOhm @ 1.25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 210pF @ 30V |
| Power - Max | 1.7W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CC0805CRNPO9BN2R2 |
|
Керамический конденсатор 2.2 пФ 50 В | YAGEO | 58 090 |
1.14 >100 шт. 0.57 |
|||
| CC0805CRNPO9BN2R2 |
|
Керамический конденсатор 2.2 пФ 50 В |
|
|
||||
| CC0805CRNPO9BN2R7 |
|
Керамический конденсатор 2.7 пФ 50 В | YAGEO | 37 017 |
0.84 >500 шт. 0.28 |
|||
| CC0805JRNPO9BN200 |
|
Керамический конденсатор 20 пФ 50 В | YAGEO | 81 166 | 13.12 | |||
| CC0805JRNPO9BN200 |
|
Керамический конденсатор 20 пФ 50 В |
|
|
||||
| LG200M1500BPF-3545 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 200 В | YAGEO |
|
|
|||
| LG200M1500BPF-3545 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 200 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| LG200M1500BPF-3545 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 200 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
 |
RC1206JR-071K6 |
|
Резистор SMD, 1206, 1.6кОм, 0.25Вт, 5% | YAGEO |
|
|
||
|
|
RC1206JR-071K6 |
|
Резистор SMD, 1206, 1.6кОм, 0.25Вт, 5% | YAGEO |
|
|
