|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA8A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
1 238
|
262.50
|
|
|
|
ATMEGA8A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
|
3 792
|
146.84
|
|
|
|
ATMEGA8A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
2 564
|
175.64
|
|
|
|
ATMEGA8A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
452
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 639
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
100
|
2.11
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
3 028
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
75 856
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
1 127 404
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
63 200
|
3.10
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 026
|
1.16
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
900 216
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 551
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
15 809
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEXPERIA
|
505 422
|
1.11
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.03
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
XXW
|
769 476
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
CRCW080530K0FKEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CRCW080530K0FKEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CRCW080530K0FKEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
CRCW080530K0FKEA |
|
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G3157DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
40
|
15.21
|
|
|
|
SN74LVC1G3157DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G3157DBVR |
|
|
|
9 064
|
4.83
|
|
|
|
SN74LVC1G3157DBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G3157DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G3157DBVR |
|
|
YOUTAI
|
32 952
|
4.25
|
|
|
|
SN74LVC1G3157DBVR |
|
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G3157DBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
169
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DC COMPONENTS
|
118 857
|
3.88
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIC
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SMK
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC
|
53 768
|
4.28
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
MIC
|
196 909
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YJ
|
889 105
|
1.11
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
|
92 812
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
HOTTECH
|
370 784
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SEMTECH
|
8
|
7.46
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
TOS
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
0.00
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YOUTAI
|
384 579
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
KOME
|
4 800
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGJIE
|
360 000
|
1.63
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
CJ
|
6 264
|
2.15
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
JINGDAO
|
2 443
|
2.00
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
TRR
|
404 000
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SUNMATE
|
6 808
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.38
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|