Версия для печати
Технические характеристики STP40NF10L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	40A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	64nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2300pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

STP40NF10L (MOSFET) N-channel 100V - 0.028? - 40A TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP40NF10L datasheet 235.4 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIR
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	PHILIPS
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIRCHILD
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт			62.80
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FAIRCHILD
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	PHILIPS
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	Fairchild Semiconductor
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	FSC
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	ONS
		J113		Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт	ONS-FAIR
		КП501В				124	18.60
		КП501В			МИНСК
		КП501В			ИНТЕГРАЛ	266	21.08
		КП501В			175
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		5 819	29.76
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	532	28.89
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК
		КТ9115А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	7355
		КТ972Г				13	18.40
		КТ972Г			МИНСК
		КТ972Г			ИНТЕГРАЛ
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		5 688	33.48
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	7021
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	9

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"