TDA2822G-SO8-R

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TDA2822G-SO8-R (UTC)	3 092	9.91
TDA2822G-SO8-R (4-7 НЕДЕЛЬ)	92	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К145АП2	Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА		4	25.90
К145АП2	Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА	СВЕТЛАНА	432	21.00
К145АП2	Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА	RUS
КТ6116Б
КТ6116Б		МИНСК
КТ6116Б
КТ6116Б		ИНТЕГРАЛ	800	9.07
КТ9115А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		176	52.92
КТ9115А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	532	26.46
КТ9115А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	5 948	33.60
КТ972Г			105	33.49
КТ972Г		МИНСК
КТ972Г		ИНТЕГРАЛ
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 875	30.36
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	6 168	37.80
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR