| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
|
3 692
|
3.40
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
960
|
13.43
|
|
|
|
|
КП103И1 |
|
|
|
8
|
14.52
|
|
|
|
|
КП103И1 |
|
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
|
КП103И1 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КП103И1 |
|
|
ОКТЯБРЬ
|
392
|
51.66
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
3 900
|
25.76
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
13 904
|
31.50
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
|
308 975
|
3.70
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
НИИПП ТОМСК
|
3 600
|
37.20
|
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
|
|
38.20
|
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
СВЕТЛАНА
|
52
|
32.13
|
|
|
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
