|
|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
КП103Е1 | 285 | 51.24 | |||||
|
|
КП103Е1 | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП103Е1 | RUS |
|
|
||||
|
|
КП103Е1 | РОССИЯ |
|
|
||||
|
|
КП103Е1 | ОКТЯБРЬ | 1 120 | 41.33 | ||||
|
|
КП103Ж1 | 107 | 16.40 | |||||
|
|
КП103Ж1 | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП103Ж1 | RUS |
|
|
||||
|
|
КП103Ж1 | ОКТЯБРЬ | 144 | 20.66 | ||||
|
|
КП302Б1 |
|
96.00 | |||||
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | 1 784 | 37.48 | |||
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | ФОТОН | 10 830 | 31.80 | ||
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | АЛЕКСАНДРОВ | 4 | 169.60 | ||
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | АЛЕСАНДРОВ |
|
|
||
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | RUS |
|
|
||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 801 | 37.48 | ||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|
|