Версия для печати
Технические характеристики PIC18F46K22-I/PT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PIC® XLP™ 18F
Процессор	PIC
Размер ядра	8-Bit
Скорость	64MHz
Подключения	I²C, SPI, UART/USART
Периферия	Brown-out Detect/Reset, HLVD, POR, PWM, WDT
Число вводов/выводов	35
Размер программируемой памяти	64KB (32K x 16)
Тип программируемой памяти	FLASH
EEPROM Size	1K x 8
Размер памяти	3.8K x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	1.8 V ~ 5.5 V
Преобразователи данных	A/D 30x10b
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	44-TQFP

PIC18F46K22-I/PT datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DC COMPONENTS	20 408	6.13
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP	1 504	1.79
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UTC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD	119
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD	1 733
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	4
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SAMSUNG
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICONIX	98
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ZETEX	336
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP	395
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICON POWER	124
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	POWERSILICON INCORPORATED	122
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY	430	2.10
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS SEMI	2
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт		50 436	1.56  >100 шт.   0.78
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD	32	1.79
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FSC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PANJIT
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS-FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	80	12.49
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY ME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA	108
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LRC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	HOTTECH	7	1.99
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KLS	5 519	3.36
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LGE	4	2.03
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YJ	513 154	1.75
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE (YJ)
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIODES
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KOME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIOTEC	63 981	2.26
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YOUTAI	37 698	1.69
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ASEMI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UMW-YOUTAI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CJ
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UWM
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SUNTAN	3 604	1.56  >100 шт.   0.78
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHIKUES
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KUU	2 022	1.41
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JSCJ	5 973	1.77
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SLKOR	762	1.42
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGZHOU YANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KLS ELECTRONIC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	MERRYELC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	1980
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	40
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KEEN SIDE	49 640	1.16  >100 шт.   0.58
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	INFINEON	320	38.14
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PLINGSEMIC	38 448	1.26  >100 шт.   0.63
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 648	1.79
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	9 469	2.94
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	94 185	1.64  >100 шт.   0.82
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	380 140	1.58  >100 шт.   0.79
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		35	3.70
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.58
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	3 088	1.58  >100 шт.   0.79
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	110 620	1.56
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	50 400	1.17  >500 шт.   0.39
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	182 433	1.35  >500 шт.   0.45
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	CTK
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEEN SIDE	4 160	1.35  >500 шт.   0.45
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	MERRYELC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE	1 668	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	2375
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	935
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DAYA	4 800	1.25
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEXIN	4 800	1.25
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ZITEK	4 000	1.25
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	3000
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	RUME	74 400	1.17  >500 шт.   0.39
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SLKOR	21 600	1.41  >500 шт.   0.47
		CDRH127/LDNP-101MC		Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	SUMIDA	11 873	60.60
		CDRH127/LDNP-101MC		Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)			124.00
		CDRH127/LDNP-101MC		Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
		CDRH127/LDNP-101MC		Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	SUM
		CDRH127/LDNP-101MC		Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)	КИТАЙ	63	71.66
		CDRH73NP-101MC			SUMIDA
		CDRH73NP-101MC
		CM453232-221KL			BOURNS	1	22.51
		CM453232-221KL

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"