LM2931CDR2 SO-8

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт		56	173.88
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт	NSC
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт	TEXAS INSTRUMENTS
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт	1
LM386M-1	ИМС УНЧ 5Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	227
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	NXP
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	PHILIPS	80	68.04
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)		1	158.76
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	СИНГАПУР
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	1
TDA7050	УHЧ 2x75mW (4.5V/32 Ом), 1W BTL (4.5V/4 Ом)	4-7 НЕДЕЛЬ	170
КТ 645 А		RUS
КТ 646 А		RUS
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		324	49.14
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	283	35.91
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	14	48.56