FQPF13N10

Версия для печати

Технические характеристики FQPF13N10

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 4.35A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	450pF @ 25V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQPF13N10L (N-канальные транзисторные модули)

100v Logic N-channel Mosfet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQPF13N10 datasheet
556.74Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	MATSUSHITA
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	MAT
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000		2	85.68
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	PAN
2SD1275	Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	КИТАЙ
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W		1	167.58
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
AO4620		Alpha & Omega Semiconductor Inc
AO4620
AO4620		A&O	344	20.47
AO4620
FQPF12P10		FAIR
FQPF12P10		FAIRCHILD
FQPF12P10		FAIRCHILD
FQPF12P10		Fairchild Semiconductor
FQPF12P10		FSC1
FQPF12P10		FSC
FQPF12P10		ONS
FQPF12P10
MMBD2836LT1		ON SEMICONDUCTOR
MMBD2836LT1		LESHAN RADIO COMPANY
MMBD2836LT1		MOTOROLA
MMBD2836LT1		FRS/MOT
MMBD2836LT1		FRS
MMBD2836LT1			3	5.81
MMBD2836LT1		LESHAN RADIO COMPANY, LTD
MMBD2836LT1		MOTOROLA
MMBD2836LT1		ON SEMICONDUCTOR
MMBD2836LT1		ФИЛИППИНЫ
MMBD2836LT1		ONS