P6AU-0509ELF

DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 4.5:5.5В, выход 9В/111мА, изоляция 1000В DC, SIP4(11.68x6x10.16мм), -40:+85°С

Версия для печати

Технические характеристики P6AU-0509ELF

Каналов,шт	1
POUT,Вт	1
VIN,В	от 4.5 до 5.5
VISO,В	1000
КПД,%	77
Выход: UВЫХ1,В	9
Выход: IВЫХ1,мА	111.7
TA,°C	от -40 до 85
Размеры: Д,мм	10
Размеры: Ш,мм	12
Размеры: В,мм	6
Корпус	PCB SIP4

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

P6AU-0509ELF (DC-DC модули)

P6AU-0509ELF - DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, корпус: для монтажа на печатную плату SIP4

P6AU-0509ELF datasheet
229.9 Кб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3296W 100K	Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный, 100кОм, 0.5Вт		2 000	12.16
3296W 100K	Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный, 100кОм, 0.5Вт	RUICHI	49	14.04
BAV99 (0.2A 70V)
CM322522-101KL	ЧИП индуктивность 100мкГн 1210	BOURNS	3 120	19.63
CM322522-101KL	ЧИП индуктивность 100мкГн 1210			19.84
CM322522-101KL	ЧИП индуктивность 100мкГн 1210	ВОURNS
IRFD110PBF	Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	VISHAY
IRFD110PBF	Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	Vishay/Siliconix
IRFD110PBF	Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFD110PBF	Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	SILICONIX
IRFD110PBF	Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В
IRFD110PBF	Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFD110PBF	Транзистор МОП N-канальный 100В 0,7A 1,3В	IR/VISHAY
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRONICS
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W		54	218.30
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	STMicroelectronics
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	ТАИЛАНД
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	ST1
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	ST MICROELECTRO
STP4NK60ZFP	N-MOS 600V, 4A, 25W	STMICROELECTR