| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
2 513
|
2.10
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
3 688
|
1.62
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
35 399
|
2.04
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
337
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
OTHER
|
1 165
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
552
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
|
|
3.00
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
59
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
2 164
|
2.10
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
268
|
1.72
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
8 709
|
1.03
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
292 298
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
18 161
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KEEN SIDE
|
996
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
2705
|
|
203 327.67
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
PHILIPS
|
647
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
NXP
|
8 950
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSR14 |
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
|
NEXPERIA
|
2 400
|
7 258.08
|
|
|
|
|
CERCAP 0.47/50V 1206 KX7R |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
SAM
|
|
|
|
|
|
|
CERCAP 0.47/50V 1206 KX7R |
|
Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
SECOS
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
UTC
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
|
3 120
|
4.84
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
FAIRCHILD
|
515
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
SECOS
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
PZT2222A |
|
Транзистор п-р-п 40В, 0.6A, 1.5Вт, SOT223
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
SMCJ188A-E3/57T |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
SMCJ188A-E3/57T |
|
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SMCJ188A-E3/57T |
|
|
|
|
|
|