Версия для печати
Технические характеристики BD678A

Корпус	SOT-32-3
Корпус (размер)	TO-126-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.8V @ 40mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	PNP - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BD670 (Биполярные транзисторы Дарлингтона) COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Также в этом файле: BD678A Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD678A datasheet 90.18Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...			29.20
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRONICS	670	15.14
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ON Semiconductor
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTR
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST1
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRO
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	FAIRCHILD
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	MULTICOMP
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	1
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRONICS	400	28.35
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ON SEMICONDUCTOR
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)		43	70.30
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	STMicroelectronics
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ЭЛЬТАВ
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)		43	70.30
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	FSC1
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRO
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	1
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz		341	15.12
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	NXP
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	PHILIPS	9 680	2.10
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	SIEMENS	1 600	2.10
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	DC COMPONENTS
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	NXP
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	OTHER
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	PHILIPS
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	SIEMENS
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	SAMSUNG
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	NEX
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	КИТАЙ	400	4.54
		BF423		Транзистор биполярный PNP 250V, 50mA, 0.8W, 60MHz	1
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.			57.60
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ФОТОН	14 778	25.20
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	RUS
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ЭЛЕКС	532	117.18
		КП303В		Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...			37.48
		КП303В		Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	ФОТОН
		КП303В		Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303В		Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВСК
		КП303В		Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"