FQD2N60CTM


Купить FQD2N60CTM ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FQD2N60CTM MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Версия для печати

Технические характеристики FQD2N60CTM

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationLead Dimension Change 23/Jan/2007 Passivation Material Change 14/May/
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds235pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FQD2N60CTM datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    GS1M ДИОД ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ     MICROSEMI CORP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    GS1M ДИОД ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ     PANJIT Заказ радиодеталей цена радиодетали
    GS1M ДИОД ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ       Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTD1N120BNS9A   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTD1N120BNS9A   FAIRCHILD 7 цена радиодетали
HGTD1N120BNS9A     Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTD1N120BNS9A   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход