HGTD1N120BNS9A
|
IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5.3A |
| Power - Max | 60W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252AA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
FQD2N60CTM |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
FQD2N60CTM |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
FQD2N60CTM |
|
|
|
|||
|
|
|
FQD2N60CTM |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
FQD2N60CTM |
|
ONS |
|
|
||
| GS1M ДИОД ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ | MICROSEMI CORP |
|
|
|||||
| GS1M ДИОД ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ | PANJIT |
|
|
|||||
| GS1M ДИОД ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ |
|
|
