| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
222 824
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
107 121
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
58 071
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
403 505
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
333 826
|
1.19
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
336
|
1.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 378
|
1.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
2 039 949
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 480 141
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
220 948
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
67 200
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
66 566
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
18 144
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
8 000
|
5.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
239 470
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
|
25
|
133.40
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
78
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
США
|
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2111S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.42A, Тбл =700 мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
444
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
|
|
16.56
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
4
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
28
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM2904N |
|
Сдвоенный Операционный усилитель 2хкан. 1МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
755
|
|
|
|
|
|
MC14584BCP |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC14584BCP |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
|
|
|
|
|
|
|
MC14584BCP |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MC14584BCP |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
MC14584BCP |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC14584BCP |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MC14584BCP |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
393
|
|
|
|
|
|
ST13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V 4A 2W B:8-40
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
ST13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V 4A 2W B:8-40
|
|
|
34.52
|
|
|
|
|
ST13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V 4A 2W B:8-40
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
ST13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V 4A 2W B:8-40
|
STMicroelectronics
|
|
|
|